Synthesis of 2-Phenylallyl-ended Ply(.ALPHA.-Methylstyrene) and Application for Electron-Beam Resist.
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Polystyrene negative resist for high-resolution electron beam lithography
We studied the exposure behavior of low molecular weight polystyrene as a negative tone electron beam lithography (EBL) resist, with the goal of finding the ultimate achievable resolution. It demonstrated fairly well-defined patterning of a 20-nm period line array and a 15-nm period dot array, which are the densest patterns ever achieved using organic EBL resists. Such dense patterns can be ach...
متن کاملpart a: application of n-(p-toluenesulfonyl) imidazole (tsim) and triphenylphosphine/carbon tetrachloride in several organic transformations part b: application of 8-bromocaffeine for synthesis of some novel 8-caffeinyl derivatives
بخش اول این پایان نامه به طور عمده بر توسعه کاربردهای جدید n-(پارا-تولوئن سولفونیل) ایمیدازول (tsim) و تری فنیل فسفین/ تتراکلرید کربن در تبدیل گروههای عاملی به یکدیگر استوار است. نظر به تنوع زیاد، دردسترس بودن، سمیت کمتر و نقل و انتقال آسان تر الکل ها نسبت به آلکیل هالیدها، تبدیل مستقیم گروه هیدروکسیل به گروه های عاملی دیگر مثل آزید، نیتریل و استر یکی از مهم ترین تبدیلات در سنتزهای آلی است. با ...
15 صفحه اولextraction and characterization of allium irancum plant extract and its application in the green synthesis of silver nano particles and oxidation of thiocarbony1 compounds
سنتز سبز نانوذرات فلزی (nps) درسالهای اخیر توجه بسیارزیادی را به خود جلب کرده است. زیرا این پروتوکل کم هزینه وسازگار با محیط زیست از روش های استاندارد سنتز. در این پایان نامه ما گزارش میکنیم یک روش ساده و سازگار با محیط زیست برای سنتز نانوذرات نقره با استفاده از محلول آبی عصاره گیاه allium iranicum به عنوان یک عامل کاهش دهنده ی طبیعی. نانو ذرات نقره مشخص شد با استفاده از تکنیک های uv-visible، x...
Electron beam lithography on irregular surfaces using an evaporated resist.
An electron beam resist is typically applied by spin-coating, which cannot be reliably applied on nonplanar, irregular, or fragile substrates. Here we demonstrate that the popular negative electron beam resist polystyrene can be coated by thermal evaporation. A high resolution of 30 nm half-pitch was achieved using the evaporated resist. As a proof of concept of patterning on irregular surfaces...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Photopolymer Science and Technology
سال: 1999
ISSN: 0914-9244,1349-6336
DOI: 10.2494/photopolymer.12.365